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Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE820DF-T1-E3
| Artikelnummer: | SIE820DF-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE820DF-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIE820DF-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (S) Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (S) Andere Namen SIE820DF-T1-E3CT
SIE820DFT1E3Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) SIE820DF-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SIE820DF-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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